Los transistores de efecto campo basados en nanohilos de silicio (SiNWTs) son firmes candidatos a reemplazar a los transistores actuales en generaciones tecnológicas futuras con longitudes de canal cercanas a los 10 nm. En la simulación de transistores de estas dimensiones es necesario usar técnicas que tengan en cuenta la naturaleza cuántica del transporte. Uno de los formalismos más extendidos para realizar estas simulaciones es el de las funciones de Green fuera de equilibrio (NEGF). Uno de los principales retos para simular los transistores está en considerar todos los mecanismos de dispersión que juegan un papel relevante en el transporte de portadores en estos transitores, ya que su inclusión lleva a un gran aumento de los recursos computacionales necesarios. En esta charla se describirán< brevemente el formalismo así como la implementación de los mecanismos de dispersión y algunos de los resultados obtenidos.